一段階還元的アミノ化

专利摘要:
式Ｉのアミンを、式ＩＩのカルボニル化合物を式ＩＩＩのアミンと反応させることにより［式中、Ｒ1およびＲ2は互いに異なり、いずれの場合も、必要に応じてヘテロ原子を含有することもできる１〜２０個のＣ原子を有する有機基を表し、Ｒ3は、Ｃ1−Ｃ6−アルキル基を表し、ならびにＲ4は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／またはシアノ、ニトロ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−ハロゲンアルキル、ヒドロキシ、Ｃ1−Ｃ6−ヒドロキシアルキル、Ｃ1−Ｃ6アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−ハロゲンアルコキシ、ヒドロキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルキルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノ、アリールおよびアリール（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）からなる群の内の１〜３個の基を有してもよいアリール基を表し；ならびに＊はＳまたはＲ立体配置を表し、および＊＊はＳおよび／またはＲ立体配置を表す］、製造する方法であって、前記反応が不均一イミノ化触媒、水素化触媒および水素の存在下で行われることを特徴とする方法。
公开号:JP2011506531A
申请号:JP2010538581
申请日:2008-12-10
公开日:2011-03-03
发明作者:ジーゲル ヴォルフガング；ハーン ティロ；シュテープ トビアス
申请人:ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ；
IPC主号:C07C209-26

专利说明:

[0001] 本発明は、式Ｉ



のアミンを、式ＩＩのカルボニル化合物を式ＩＩＩのアミンと反応させることにより



［式中、
Ｒ1およびＲ2は異なり、それぞれが１〜２０個の炭素原子を有しかつ場合によりヘテロ原子を含むこともできる有機基であり、
Ｒ3は、Ｃ1−Ｃ6−アルキル基であり、ならびに
Ｒ4は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／またはシアノ、ニトロ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキル、ヒドロキシル、Ｃ1−Ｃ6−ヒドロキシアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルコキシ、ヒドロキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルキルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノ、アリールおよびアリール（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）の群の内の１〜３個の基を有してもよいアリール基であり；
ならびに
＊はＳまたはＲ立体配置を表し、および
＊＊はＳおよび／またはＲ立体配置を表す］、
製造する方法であって、
不均一イミノ化触媒、水素化触媒および水素の存在下で前記反応を行う段階を含む方法に関する。]
[0002] アミンは、医薬品および作物保護の分野における活性成分の重要な合成単位である。（アミノ窒素上の置換基がキラリティを有する）キラルアミンの場合は、１つの立体異性体型（Ｒ型またはＳ型）のみが適切であることが多く、あるいはキラル中心が２つある場合は、ジアステレオマー型（ＲＲ、ＲＳ、ＳＲ、ＳＳ）の内の１つのみが適切である。]
[0003] そのため、アミンの製造および反応においては、高い立体選択性またはジアステレオ選択性が望まれる。]
[0004] 例えば、ＥＰ−Ａ−４４３６０６には、２つのキラル中心を含むアミノ化合物を得るための（プロキラル）ケトンとキラルアミンの反応について記載されている。ＥＰ−Ａ １６４０３５８およびＷＯ２００６／００８１７１の教示によれば、この反応は、水素化触媒およびルイス酸の存在下で行われる。この合成の１つの短所は、ルイス酸を超化学量論的に使用するため、不経済であり、反応後にルイス酸を廃棄しなければならない点である。]
[0005] そのため、本発明の目的は、プロキラルケトンをキラルアミンと反応させることによって２つのキラル中心を有するアミノ化合物を製造するきわめて簡単で安価な方法であって、得られたアミンが最大の立体選択性を有さなければならず、反応生成物が容易に生成かつ精製され、触媒がきわめて簡単な方法で再利用可能な方法を提供することであった。]
[0006] 従って、冒頭に定義した方法を見出した。]
[0007] 反応物
本発明の方法においては、式ＩＩのカルボニル化合物を式ＩＩＩのアミンと反応させる。]
[0008] 式ＩＩ（そして当然ながらこれに対応して同様に式Ｉの生成物）のＲ１基およびＲ２基はそれぞれ別々に、１〜２０個の炭素原子、好ましくは１〜１０個の炭素原子を有しかつ場合によりヘテロ原子を含むこともできる有機基である。好適な一実施形態において、Ｒ１およびＲ２は、ヘテロ原子を一切含まず、それぞれが炭化水素基、とりわけ脂肪族炭化水素基、最も好ましくはアルキル基である。]
[0009] Ｒ１基およびＲ２基の例としては：
Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ3−Ｃ6−シクロアルキル、Ｃ2−Ｃ6−アルケニル、Ｃ2−Ｃ6−アルキニル、Ｃ2−Ｃ6−ハロアルケニル、Ｃ2−Ｃ6−ハロアルキニル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル、Ｃ3−Ｃ6−アルケニルオキシカルボニル、Ｃ3−Ｃ6−アルキニルオキシカルボニル、アミノカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルキルアミノカルボニル、Ｃ3−Ｃ6−アルケニルアミノカルボニル、Ｃ3−Ｃ6−アルキニルアミノカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルキルスルホニルアミノカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）−アミノカルボニル、Ｎ−（Ｃ3−Ｃ6−アルケニル）−Ｎ−（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニル、Ｎ−（Ｃ3−Ｃ6−アルキニル）−Ｎ−（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）−アミノカルボニル、Ｎ−（Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ）−Ｎ−（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）−アミノカルボニル、Ｎ−（Ｃ3−Ｃ6−アルケニル）−Ｎ−（Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ）アミノカルボニル、Ｎ−（Ｃ3−Ｃ6−アルキニル）−Ｎ−（Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ）−アミノカルボニル、（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノチオカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノチオカルボニル、およびＣ1−Ｃ6−アルキルカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルキル
［ここで、前記アルキル基、シクロアルキル基およびアルコキシ基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／または以下の基（すなわち、シアノ、ヒドロキシル、Ｃ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ3−Ｃ6−シクロアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルチオ、アミノ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノ、Ｃ1−Ｃ4−アルキルカルボニルアミノ、ヒドロキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ4−アルコキシカルボニル、アミノカルボニル、Ｃ1−Ｃ4−アルキルアミノカルボニル、ジ（Ｃ1−Ｃ4−アルキル）アミノカルボニル、またはＣ1−Ｃ4−アルキルカルボニルオキシ）の内の１〜３個を有してもよい］；
アリール、アリール−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリール−Ｃ2−Ｃ4−アルケニル、アリール−Ｃ2−Ｃ4−アルキニル、アリール−Ｃ1−Ｃ4−ハロアルキル、アリール−Ｃ2−Ｃ4−ハロアルケニル、アリール−Ｃ3−Ｃ4−ハロアルキニル、アリール−Ｃ1−Ｃ4−ヒドロキシアルキル、アリールカルボニルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールオキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールアミノ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールチオ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールスルフィニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、アリールスルホニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−アルケニル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−アルキニル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−ハロアルキル、ヘテロシクリル−Ｃ2−Ｃ4−ハロアルケニル、ヘテロシクリル−Ｃ3−Ｃ4−ハロアルキニル、ヘテロシクリル−Ｃ1−Ｃ4−ヒドロキシアルキル、ヘテロシクリルカルボニルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルオキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルオキシ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルアミノ−Ｃ1−Ｃ4−アルキルヘテロシクリルチオ−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルスルフィニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル、ヘテロシクリルスルホニル−Ｃ1−Ｃ4−アルキル
［ここで、前記アリール基およびヘテロシクリル基は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／またはシアノ、ニトロ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキル、ヒドロキシル、Ｃ1−Ｃ6−ヒドロキシアルキル、ヒドロキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルコキシ、ヒドロキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル、ヒドロキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル−Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、アミノ、Ｃ1−Ｃ6−アルキルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノ、Ｃ1−Ｃ6−アルキルスルホニルアミノ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキルスルホニルアミノ、（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノカルボニルアミノ、アリール、およびアリール（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）の群の内の１〜３個の基を有してもよい］
が挙げられる。]
[0010] Ｒ1基およびＲ2基は異なる。]
[0011] 式ＩＩＩ（そして当然ながらこれに対応して同様に式Ｉの生成物）において、Ｒ3基およびＲ4基は、以下の通り定義される：
Ｒ3はＣ1−Ｃ6−アルキル基であり、かつ
Ｒ4は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／またはシアノ、ニトロ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキル、ヒドロキシル、Ｃ1−Ｃ6−ヒドロキシアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルコキシ、ヒドロキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルキルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノ、アリール、およびアリール（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）の群の内の１〜３個の基を有してもよいアリール基である。]
[0012] Ｒ3は、好ましくはメチル基である。]
[0013] Ｒ4は、好ましくはフェニル基または１−ナフチル基である。]
[0014] 式Ｉまたは式ＩＩＩの＊は、化合物がＳ立体配置か、あるいはＲ立体配置のいずれかに存在することを意味する。そのため、化合物は異性体混合物ではなく、立体特異的配置である。]
[0015] 式Ｉの＊＊は、Ｓ立体配置および／またはＲ立体配置を表し；すなわち、化合物は、この部位における両立体配置の比率で存在することができる。]
[0016] カルボニル化合物ＩＩおよびアミンＩＩＩは、反応においていかなる量でも使用することができる。いずれかの成分を過剰に使用すると、未転化分を反応混合物から後で除去することが必要となるが、最適な反応のため、かつ／またはコストの面から、２つの内のいずれかの成分を過剰に使用するのが有利な場合がある。]
[0017] 触媒
反応は、不均一イミノ化触媒の存在下で行われる。イミノ化触媒は、対応するイミノ化合物へのカルボニル化合物の転化を触媒する。]
[0018] 本発明のきわめて重要な特徴は、イミノ化触媒が不均一であること、すなわち、イミノ化触媒が反応条件下で固体であり、従って反応の出発材料とは異なる相で存在することである。対照的に、均一イミノ化触媒は、ＥＰ−Ａ１６４０３５８またはＷＯ２００６／００８１７１に詳述する通り、出発材料に溶解されるか、または出発材料とともに溶媒に溶解され、すなわち、出発材料（均一触媒）と同じ相に存在する。]
[0019] 不均一イミノ化触媒は、好ましくは融点が２００℃（１バール）を超える固体を含む。前記イミノ化触媒は、好ましくは粉末または粒状材料の形態で存在する。]
[0020] 不均一イミノ化触媒は、好ましくは無機酸化物または混合酸化物を含む。]
[0021] 酸化物の例としては、ＴｉＯ2およびＺｒＯ2が挙げられる。]
[0022] 具体的には、これらは珪酸塩を含むか、またはケイ素を含む混合酸化物を含む。]
[0023] 具体的には、珪酸塩、とりわけアルミニウム、カルシウム、マグネシウム、ナトリウム、カリウムなどの金属原子を含む珪酸塩が適切である。]
[0024] 一例としてはモンモリロナイトがある。モンモリロナイトは、一般的に（Ｎａ，Ｃａ）0.3（Ａｌ，Ｍｇ）2Ｓｉ4（ＯＨ）2４Ｈ2Ｏの組成を有する。]
[0025] 好ましくは、イミノ化触媒は、出発化合物ＩＩおよびＩＩＩの全質量の１００質量部につき、０．１〜２０質量部、より好ましくは１〜１５質量部、最も好ましくは２〜１０質量部の量で使用される。]
[0026] また、水素化触媒の存在下においても反応は生じる。]
[0027] 適切な水素化触媒は、水素化に使用されるすべての触媒である。]
[0028] 有用な活性触媒成分としては、とりわけ金属または金属酸化物が挙げられる。これらの金属としては、白金、パラジウム、ロジウム、ルテニウムなどの貴金属、およびニッケル、コバルト、銅、亜鉛などのその他の金属が挙げられる。]
[0029] 適切な酸化物は、とりわけニッケル、コバルト、銅、亜鉛の酸化物である。]
[0030] 水素化触媒は活性触媒成分のみで構成されてもよく、好適な一実施形態において、活性触媒成分は、不活性担体（担体触媒）に塗布される。担体は、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、二酸化チタンまたは炭酸カルシウムなどの通例の担体を含んでもよい。]
[0031] 好適な水素化触媒は、イミノ化触媒のように、同様の不均一触媒であり、担体触媒が特に好ましい。]
[0032] 水素化触媒としては、不均一銅触媒、とりわけ担体銅触媒が特に好ましい。]
[0033] そのため、本発明の反応は、好ましくは不均一銅触媒の存在下で行われる。]
[0034] 好ましくは、この不均一銅触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を０．１〜９５質量％；
ニッケル、コバルトおよび亜鉛の群から選択される少なくとも１種の金属を０．１〜８５質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜５質量％
（但し、質量％の合計は１００％を超えない）
含む。]
[0035] 一般的に、不均一銅触媒は担体物質を含む。有用な担体物質としては、例えば活性炭素、黒鉛もしくはカーボンブラックなどの炭素、または多孔質金属酸化物が挙げられる。適切な多孔質金属酸化物の例としては、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、アルミノ珪酸塩、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、またはこれらの混合物であり、好ましくは酸化アルミニウム、二酸化チタンおよび二酸化ジルコニウムがある。しかし、担体物質として、リン酸アルミニウム、ムライト、珪藻土、ボーキサイトおよびアルミン酸カルシウムを使用することも可能である。]
[0036] 具体的には、不均一銅触媒の上述の触媒活性金属および助触媒（該当する場合）の全質量は、その全質量に対して、多くても９５質量％、好ましくは多くても９０質量％である。]
[0037] 一実施形態において、この不均一銅触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を０．１〜９０質量％；
ニッケル、コバルトおよび亜鉛の群から選択される少なくとも１種の金属を０．１〜８０質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜５質量％
含む。]
[0038] 具体的には、この不均一銅触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を２〜８５質量％；
ニッケル、コバルトおよび亜鉛の群から選択される少なくとも１種の金属を０．１〜８０質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜５質量％
含む。]
[0039] さらなる一実施形態において、この不均一銅触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を２〜５０質量％；
ニッケルおよびコバルトの群から選択される少なくとも１種の金属を０〜３０質量％；
亜鉛を０．５〜５０質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜５質量％
含む。]
[0040] 好ましくは、この不均一銅触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を５〜４０質量％；
ニッケルおよびコバルトの群から選択される少なくとも１種の金属を０〜３０質量％；
亜鉛を５〜５０質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜５質量％
含む。]
[0041] 具体的には、この不均一銅触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を１０〜３５質量％；
ニッケルおよびコバルトの群から選択される少なくとも１種の金属を０〜３０質量％；
亜鉛を１０〜４５質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜５質量％
含む。]
[0042] より好ましくは、この不均一銅触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を１０〜３５質量％；
亜鉛を１０〜４０質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜５質量％
含む。]
[0043] 具体的には、この銅触媒は、好ましくは、触媒活性金属として銅およびニッケルのみを、触媒の全質量に対して、とりわけいずれの場合も（但しそれぞれ別々に）５〜５０質量％、より好ましくは１０〜４５質量％、とりわけ好ましくは２０〜４０質量％含む。有用な担体物質は、好ましくは多孔質金属酸化物、とりわけ酸化アルミニウム、二酸化チタンまたは二酸化ジルコニウムである。]
[0044] さらなる一実施形態において、この不均一銅触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を２〜５０質量％；
ニッケルを０．１〜７０質量％；
コバルトおよび亜鉛の群から選択される少なくとも１種の金属を０〜２０質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜５質量％
含む。]
[0045] 好ましくは、この不均一銅触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を２〜４０質量％；
ニッケルを１〜６５質量％；
コバルトおよび亜鉛の群から選択される少なくとも１種の金属を０〜１０質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜５質量％
含む。]
[0046] 具体的には、この不均一銅触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を２〜２５質量％；
ニッケルを３〜６０質量％；
コバルトおよび亜鉛の群から選択される少なくとも１種の金属を０〜１０質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜５質量％
含む。]
[0047] より好ましくは、この不均一銅触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を２〜２５質量％；
ニッケルを３〜５０質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒、好ましくはモリブデンを０〜５質量％
含む。]
[0048] この銅触媒は、好ましくは、触媒活性金属として銅およびニッケルのみを、触媒の全質量に対して、とりわけいずれの場合も（但しそれぞれ別々に）２〜１５質量％、より好ましくは２〜１０質量％、とりわけ好ましくは３〜８質量％含む。有用な担体物質は、好ましくは多孔質金属酸化物、とりわけ酸化アルミニウム、二酸化チタンまたは二酸化ジルコニウムである（Ｈｅ：いずれの場合もＴｉＯ2に対して５質量％の例）。]
[0049] 同様に好ましくは、この銅触媒は、触媒活性金属または助触媒として銅、ニッケルおよびモリブデンのみを、触媒の全質量に対して、とりわけ２〜２５質量％（銅）、２０〜６０質量％（ニッケル）、０．０１〜５質量％（モリブデン）、より好ましくは５〜２０質量％（銅）、３０〜５０質量％（ニッケル）、０．１〜２質量％（モリブデン）、とりわけ好ましくは１０〜１５質量％（銅）、３５〜４５質量％（ニッケル）、０．５〜１．５質量％（モリブデン）含む。有用な担体物質は、好ましくは多孔質金属酸化物、とりわけ酸化アルミニウム、二酸化チタンまたは二酸化ジルコニウムである。]
[0050] さらなる一実施形態において、この不均一銅触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を２〜４０質量％；
ニッケルおよびコバルトの群から選択される少なくとも１種の金属を０．１〜８０質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜５質量％
含む。]
[0051] 好ましくは、この不均一銅触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を２〜４０質量％；
ニッケルを０．１〜４０質量％；
コバルトを０．１〜４０質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜５質量％
含む。]
[0052] 具体的には、この不均一銅触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を２〜３０質量％；
ニッケルを０．５〜３５質量％；
コバルトを０．５〜３５質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜５質量％
含む。]
[0053] より好ましくは、この不均一銅触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を２〜２０質量％；
ニッケルを１〜３０質量％；
コバルトを１〜３０質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜５質量％
含む。]
[0054] 好ましくは、この銅触媒は、触媒活性金属として銅、ニッケルおよびコバルトのみを、触媒の全質量に対して、とりわけ２〜２５質量％（銅）および１〜３５質量％（いずれの場合もニッケルおよびコバルトをそれぞれ別個に）、より好ましくは２〜２０質量％（銅）および１０〜３０質量％（いずれの場合もニッケルおよびコバルトをそれぞれ別個に）、とりわけ好ましくは５〜１５質量％（銅）および１５〜２５質量％（いずれの場合もニッケルおよびコバルトをそれぞれ別個に）含む。有用な担体物質は、好ましくは多孔質金属酸化物、とりわけ酸化アルミニウム、二酸化チタンまたは二酸化ジルコニウムである（Ｈｅ：ＴｉＯ2またはＺｒＯ2に対して１１／２１／２１質量％の例）。]
[0055] 同様に具体的には、この銅触媒は、触媒活性金属として銅、ニッケルおよびコバルトのみを、触媒の全質量に対して、より好ましくは２〜１０質量％（銅）および２〜５質量％（いずれの場合もニッケルおよびコバルトをそれぞれ別個に）、とりわけ好ましくは２〜５質量％（銅）および２〜５質量％（いずれの場合もニッケルおよびコバルトをそれぞれ別個に）含む。有用な担体物質は、好ましくは多孔質金属酸化物、とりわけ酸化アルミニウム、二酸化チタンまたは二酸化ジルコニウムである。]
[0056] さらなる一実施形態において、この不均一銅触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を２〜４０質量％；
コバルトを０．１〜８０質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜５質量％
含む。]
[0057] 具体的には、この不均一銅触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を２〜２０質量％；
コバルトを２〜２０質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜５質量％
含む。]
[0058] より好ましくは、この不均一銅触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を２〜１５質量％；
コバルトを２〜１５質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜５質量％
含む。]
[0059] この銅触媒は、好ましくは、触媒活性金属として銅およびコバルトのみを、触媒の全質量に対して、とりわけいずれの場合も（但しそれぞれ別々に）２〜１５質量％、より好ましくは３〜１０質量％、とりわけ好ましくは３〜８質量％含む。有用な担体物質は、好ましくは多孔質金属酸化物、とりわけ酸化アルミニウム、二酸化チタンまたは二酸化ジルコニウムである。]
[0060] さらなる一実施形態において、この不均一銅触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を５〜４０質量％；
コバルトを２０〜８０質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜１０質量％
含む。]
[0061] より好ましくは、この不均一銅触媒は、触媒の全質量に対して、
銅を１０〜２５質量％；
コバルトを４０〜７０質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒、好ましくはモリブデン、マンガンおよびリンを０．１〜８質量％
含む。]
[0062] この銅触媒は、好ましくは、触媒活性金属または助触媒として銅、コバルト、モリブデンおよびマンガンのみを、触媒の全質量に対して、とりわけ５〜４０質量％（銅）、３０〜８０質量％（コバルト）および０．１〜１０質量％（いずれの場合もモリブデンおよびマンガンをそれぞれ別個に）、より好ましくは１０〜３５質量％（銅）、４０〜７５質量％（コバルト）および０．５〜８質量％（いずれの場合もモリブデンおよびマンガンをそれぞれ別個に）、とりわけ好ましくは１２〜２５質量％（銅）、４５〜６０質量％（コバルト）および０．５〜７質量％（いずれの場合もモリブデンおよびマンガンをそれぞれ別個に）を含む。]
[0063] 触媒は、典型的には５０〜１５０ｍ2／ｇ、好ましくは７０〜１３０ｍ2／ｇ、とりわけ７５〜１２０ｍ2／ｇのＢＥＴ表面積（ＤＩＮ６６１３１により決定）を有する。触媒の細孔容積（ＤＩＮ６６１３３によるＨｇポロシメトリーにより決定）は、一般的には０．１〜０．４ｍＬ／ｇ、好ましくは０．１５〜０．３５ｍＬ／ｇ、とりわけ０．１５〜０．３ｍＬ／ｇである。]
[0064] しかし、触媒は、通例の方法でも製造することができる（Ａ．Ｆａｒｋａｓ，ｉｎ Ｕｌｌｍａｎｎ’ｓ Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｒｅｌｅａｓｅ ２０００，Ｃｈａｐｔｅｒ ５．３，５．４，５．６ ｔｏ ５．１０）。]
[0065] 例えば、仮焼中に特定の担体の酸化物に転化される対応する化合物から、担体を製造することが可能である。この目的には、とりわけ水酸化物、炭酸塩およびカルボン酸塩が適切である。酸化物、あるいは仮焼中に特定の担体の酸化物に転化される対応する前駆体は、それ自体が既知の方法、例えばゾル−ゲル法、沈殿、対応するカルボン酸塩の脱水、乾燥混合、スラリー化または噴霧乾燥により製造することができる。沈殿の場合、典型的には、アルミニウム、チタン、ジルコニウムなどの可溶性塩、例えば対応するハロゲン化物、好ましくは塩化物、アルコキシド、硝酸塩など、好ましくはアルミニウム、チタン、ジルコニウムなどの硝酸塩が使用される。さらには、通例の方法により安定剤を担体に組み込むことも可能である。同様に、担体の成形を容易にする助剤、例えば黒鉛またはステアリン酸を担体に組み込むことも可能であり、この後に成形が行われる。一般的に、押出物、錠剤、球体、破砕片、モノリスなどは、通例の方法により製造される。]
[0066] 仮焼は、典型的には３００〜８００℃、好ましくは５００〜６００℃の温度で、空気または空気と窒素の混合気を用いて行われる。空気または空気／窒素混合気に水蒸気を加えることが有利な場合がある。]
[0067] 次いで、本発明の触媒活性金属または助触媒を担体に塗布することができる。典型的には、担体を、対応する金属前駆体もしくは助触媒前駆体の溶液に含浸させるか、または前記溶液で飽和させる。含浸は初期湿潤法により行うことができるが、その場合は、担体の多孔質容積をほとんど同じ容積の含浸溶液で満たし—該当する場合は熟成後に—担体を乾燥させるか；あるいは過剰の溶液が使用されるが、この場合、この溶液の体積は、担体の多孔質容積よりも多くなる。この場合は、担体を含浸溶液と混合し、十分な期間撹拌する。過剰な含浸溶液は振盪、遠心分離または濾過により除去する。場合により、酸、中性塩または塩基を添加することが、含浸／飽和を容易にする場合もある。場合により、担体の十分な含浸は、例えば、含浸／飽和中に溶液を加熱するか、表面活性物質を添加するか、または担体を排気することにより達成することができる。さらに、対応する前駆体の溶液を担体に噴霧することも可能である。この場合は、適切な担体を対応する金属前駆体または助触媒前駆体の溶液で処理するが、前記溶液は、担体が前記溶液を吸収するような特性を有する。]
[0068] しかし、当業者に既知のその他の製造方法、例えば化学蒸着、ゾル含浸なども可能である。]
[0069] 適切な金属前駆体は、ハロゲン化物、とりわけ塩化物、硝酸塩、酢酸塩、アルカリ性炭酸塩、ギ酸塩、シュウ酸塩、クエン酸塩、酒石酸塩を含めた、対応する可溶性金属塩である。]
[0070] 金属前駆体または助触媒前駆体は、上述の方法で一緒にまたは連続して塗布することができる。また、ここでは特定の手順を順守することが有利な場合もある。]
[0071] しかし、当業者に既知のその他の製造方法、例えば化学蒸着、ゾル含浸なども可能である。]
[0072] 次いで、本発明の触媒活性金属前駆体を塗布した担体を仮焼する。仮焼は、典型的には３００〜８００℃、好ましくは４００〜６００℃の温度で、空気または空気と窒素の混合気を用いて行われる。空気または空気／窒素混合気に水蒸気を加えることが有利な場合がある。]
[0073] 仮焼後、不均一銅触媒は、粉砕により特定の粒径に調整するか、または粉砕した後、黒鉛またはステアリン酸などの成形助剤と混合して、タブレット圧縮機により圧縮物に圧縮し、熱処理することにより適切に調整される。熱処理温度は、一般的に仮焼における温度に対応する。]
[0074] しかし、沈澱法を用いることにより不均一銅触媒を製造することも可能であり、例えば、難溶性の酸素含有担体前駆体化合物または担体自体のスラリーの存在下で、金属または助触媒前駆体を、これらの金属／助触媒を含む塩水溶液から鉱物塩基により共沈させた後、得られた沈殿物を洗浄、乾燥および仮焼することにより製造することも可能である。]
[0075] 使用する難溶性の酸素含有担体前駆体化合物または担体自体は、例えば酸化物、オキシ水和物、リン酸塩、ホウ酸塩およびケイ酸塩であってもよく、例えば酸化物、オキシ水和物、リン酸塩、ホウ酸塩およびケイ酸塩であってもよく、例えば二酸化ジルコニウム、酸化ジルコニウム水和物、リン酸ジルコニウム、ホウ酸ジルコニウムおよびケイ酸ジルコニウム、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、アルミニウムオキシ水和物、二酸化チタン、ならびに当業者に既知のさらなる化合物であってもよい。難溶性の担体前駆体化合物または担体自体のスラリーは、激しく撹拌しながらこれらの担体前駆体化合物または担体自体の微粉を水に懸濁させることにより製造することができる。これらのスラリーは、難溶性の担体前駆体化合物を塩水溶液から鉱物塩基により沈殿させることによって得るのが有利である。]
[0076] 具体的に、本発明の不均一銅触媒は、当該触媒の成分すべてを共沈させることによって製造される。これを行うためには、触媒成分を含む塩水溶液を、高温条件下で、水性の鉱物塩基、とりわけアルカリ金属塩基（例えば、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、炭酸カリウムまたは水酸化カリウム）とともに、沈殿が完了するまで撹拌しながら適切に混合する。使用する塩の種類は通常重要ではなく、というのも、この手順において重要な要素は主に塩の水溶性であるため、これらの比較的高濃度の塩溶液を製造するのに必要となる優れた水溶性が基準となっている。個々の成分の塩を選択するに当たっては、当然ながら、望ましくない沈殿を生じることによってか、または錯体形成により沈殿を複雑化または阻害することによって分解を生じないアニオンを有する塩のみが選択されることが明らかであると考えられる。]
[0077] これらの沈殿反応において得られた沈殿物は、一般的には、化学的に不均一であり、とりわけ使用する金属／助触媒の酸化物、酸化物水和物、水酸化物、炭酸塩ならびに不溶性および塩基性塩の混合物から構成される。このことは、沈殿物が熟成される場合、すなわち、該当する場合は高温条件下か空気を流しながら、沈殿後に一定期間沈殿物が静置される場合に、沈殿物の濾過性に好ましいことが明らかになる場合がある。]
[0078] これらの沈殿方法により得られた沈殿物を通常通りさらに処理して、本発明の不均一銅触媒を得る。洗浄後、当該触媒を、一般的には８０〜２００℃、好ましくは１００〜１５０℃で乾燥させた後、仮焼する。仮焼（熱処理）は、一般的には３００〜８００℃、好ましくは４００〜６００℃、とりわけ４５０〜５５０℃の温度で行われる。]
[0079] 仮焼後、不均一銅触媒は、粉砕により特定の粒径に調整するか、または粉砕した後、黒鉛またはステアリン酸などの成形助剤と混合して、タブレット圧縮機により圧縮物に圧縮し、熱処理することにより適切に調整される。熱処理温度は、一般的に仮焼における温度に対応する。]
[0080] このように製造された不均一銅触媒は、これらの酸素化合物の混合物の形態で、すなわち、より具体的には酸化物および混合酸化物の形態で、触媒活性金属／助触媒を含む。]
[0081] このように製造された不均一銅触媒は、このように保存することができる。]
[0082] このようにして得られた触媒は、式Ｉの化合物のジアステレオ選択的水素化で使用する前に活性化することができる。これを行うためには、１００〜３００℃の温度で水素または水素と窒素の混合気で当該触媒を処理する。この状況では、水素／窒素混合気中の水素含有量が少ない状態から始め、活性化方法の過程で連続してまたは段階的に水素含有量を増加させるのが有利な場合がある。前還元は、例えば、最初に窒素／水素雰囲気中で１２〜２０時間にわたり１５０〜２００℃で行った後、水素雰囲気中でさらに最長約２４時間にわたり２００〜３００℃で継続することができる。]
[0083] 触媒の活性化は、一般的には、本発明の水素化を行う反応器で行われるが、当該反応器に設置する前に触媒の活性化を行うことも可能である。]
[0084] 触媒は、典型的には、本発明の水素化において還元型で使用される。この状況では、還元型で存在する触媒をもう一度活性化するのが有利な場合もある。これを行うためには、水素または水素と不活性気体（例えば、窒素）との混合気を用いて、室温から１００℃、好ましくは１５０〜３００℃の温度で、ならびに１０〜６０バール、好ましくは最高５０バールの水素圧で、当該触媒を処理する。この状況では、不活性気体を含まない水素を用いて活性化するのが有利な場合もあるが、水素と不活性気体の混合気を用いて活性化する（その場合、最初に水素／不活性気体混合気を用いて始め、活性化方法の過程で連続して水素含有量を増加させる）のが有利な場合もある。]
[0085] しかし、さらなる事前の活性化を行うことなく式Ｉのイミンのジアステレオ選択的水素化を行うに当たって、触媒を酸化物型または還元型で使用することも可能である。]
[0086] 方法の手順
一般的に反応は溶媒中で行う。しかし、とりわけ式Ｉのイミンが反応温度で液体である場合には、反応をバルクで行うことも可能である。使用する溶媒は、反応条件下で不活性の溶媒であり、例えば、アルコール類（例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、シクロペンタノール、シクロヘキサノール、エチレングリコール、プロピレングリコールなど）、芳香族炭化水素類（例えば、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレンなど）、エーテル類（例えば、ジエチルエーテル、メチルｔｅｒｔ−ブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン）、双極性非プロトン性溶媒（例えば、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなど）、またはこれらの混合物）であるが、アルコール類（例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、シクロペンタノール、シクロヘキサノール、エチレングリコール、プロピレングリコールなど、好ましくは、メタノール、エタノールおよびイソプロパノール）または芳香族炭化水素類（例えば、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレンなど、好ましくは、トルエンまたはエチルベンゼン）またはこれらの混合物中で反応を行うのが好ましい。]
[0087] 反応は、典型的には室温から反応混合物の還流温度まで、一般的には室温から２００℃まで、好ましくは５０℃から１５０℃までの温度で行われる。]
[0088] 反応は、水素の存在下で行い、純水素の存在下で行うこともできれば、あるいは水素を含むガス混合気の存在下で行うことも可能である。]
[0089] 水素、または水素を含むガス流の水素は、完全に反応させることもできれば、部分的に反応させることもできる。後者の場合は、場合によりこのガス流を部分的または完全に再利用または循環させるのが有利な場合がある。使用する銅触媒を反応前に活性化させる場合は、このガス流をこの目的に使用することもできる。]
[0090] 典型的には、工業銘柄品質の水素が使用される。しかし、水素を含む気体の形態として、すなわち、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴンまたは二酸化炭素（好ましくは、窒素またはアルゴン）などの不活性気体の添加物として、水素を使用することも可能である。]
[0091] 反応は、一般的には１〜２００バール、好ましくは４０〜１５０バール、とりわけ５０〜１００バールの圧力で行われる。圧力は所望の圧力まで段階的にまたは連続して増加させることが可能である。]
[0092] 本発明の方法は、不連続的に行うこともできれば、半連続的に行うことも、または連続して行うことも可能である。]
[0093] 不連続的な方法では、例えば、濾過などを行い、沈殿させて液相を除去することによるか、または遠心分離により、触媒を除去することによって、通例の方法で反応混合物を生成し、こうして得られた濾液、上清または遠心分離物から、例えば蒸留することにより溶媒を除去する。場合により、触媒を濾別する場合は、濾過助剤、例えばセライトを使用するのが有利な場合もある。]
[0094] 反応は、例えば、撹拌オートクレーブ、気泡塔、循環反応器、例えばループ反応器または固定床反応器にて液相中で行うことが可能である。]
[0095] 本発明の方法の特定の利点は、不均一イミノ化触媒の再利用性である。触媒は、簡単な方法、例えば濾過により、反応後に除去し、再利用することが可能である。]
[0096] 反応時間は、好ましくは、出発成分の１つの転化が実質的に完了するように選択されるが、早期に停止することもできる。反応は、典型的には０．１〜２００時間、好ましくは０．１〜１８０時間行われる。]
[0097] 反応は、好ましくは、不足した状態で存在する成分が完全に転化された時に終了するが、完全な転化が達成される前に反応を終了させるのが有利な場合もある。]
[0098] 生成混合物の生成は、当業者に既知の通例の方法で行うことが可能であり、生成物は、例えば蒸留、抽出または結晶化によって得ることができる。]
[0099] 本発明の方法の好適な生成物は、（Ｒ）−（１−フェニルエチル）アミンまたは（Ｓ）−（１−フェニルエチル）アミンとエチルメチルケトン、メチルイソプロピルケトンまたはアセトフェノンとの反応生成物である。]
[0100] 本発明の方法は、式Ｉの化合物を製造するためのとりわけ簡単で安価な方法である。方法段階の数は、先行技術よりも少なくすることができる。反応手順および生成は簡単である。生成物は高いジアステレオ選択性を有しており、それは、ＲＲ／ＲＳとＳＳ／ＳＲのジアステレオ異性体の比率が高値であることにより実施例で認識することができる。]
[0101] さらなる反応
式Ｉのアミンを水素化分解により開裂して式ＶＩＩＩ



［式中、Ｒ1基およびＲ2基は、それぞれ式Ｉの化合物について定義する通りである］
のキラルアミンを得ることができる。]
[0102] この反応は、通例の既知の方法で行うことができる。]
[0103] この水素化分解は、典型的には不活性溶媒、例えば、アルコール類（例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノールもしくはブタノール）、エーテル類（例えば、テトラヒドロフラン、ジオキサン）、炭化水素類（例えば、トルエンもしくはベンゼン）、またはこれらの混合物中で行われる。水素化分解は、触媒量の白金族金属元素の存在下で、好ましくはＰｔ／ＣまたはＰｄ／Ｃ上で、水素により行うことができる。この場合、一般的に水素は過剰に使用される。反応は、一般的に、室温から反応混合物の還流温度までで、および標準圧力から２００バールまでの圧力で行われる。反応が終了したら、当業者に既知の方法で反応混合物を生成する。しかし、金属水素化物、例えば、水素化アルミニウムリチウム、ボロン酸ナトリウム、シアノボロン酸ナトリウム、ジボランなどによって水素化分解を行うことも可能である。この場合、反応物は一般的に化学量論比で使用される。場合により、金属水素化物を過剰に使用するのが有利な場合もある。反応は、一般的には室温から反応混合物の還流温度までで、標準圧力で行われる。反応が終了したら、当業者に既知の方法で反応混合物を生成する。]
[0104] 式ＩＩのアミンの水素化分解は、連続して行うこともできれば、半連続的に行うことも、バッチ式に行うことも可能である。]
[0105] 特許出願のための実施例
原材料：
モンモリロナイトＫ１０：Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈから入手可能
Ｐｔ／Ｃ．１０％Ｐｔ担持炭素担体
ＤＥ４４２８００４と類似のＮｉ／Ｃｕ／Ｍｏ
ＤＥ１９８２６３９６と類似のＮｉ／Ｃｏ／Ｃｕ
試験方法
実施例１〜９のジアステレオマー比は、以下の通りに決定した：トリフルオロ酢酸による誘導体化、ＢＧＢ１７５カラムでのガスクロマトグラフィ分離。]
[0106] 実施例１０〜１２のジアステレオマー比は、以下の通りに決定した：トリフルオロ酢酸による誘導体化、Ｈｙｄｒｏｄｅｘ ｂｅｔａ ６−ＴＢＤＭカラムでのガスクロマトグラフィ分離。]
[0107] １．２−ブタノンと（Ｒ）−（１−フェニルエチル）アミンまたは（Ｓ）−（１−フェニルエチル）アミンとの反応
実施例１
最初に、丸底フラスコに入れたケトンに、（Ｓ）−（１−フェニルエチル）アミン、モンモリロナイトＫ１０およびＰｔ／Ｃを投入し、６０℃で１時間撹拌する。その後、転化が完了するまで水素を導入する。]
[0108] 反応生成物は、式Ｉ
［式中、Ｒ1＝メチル、Ｒ2＝エチル、Ｒ3＝メチル、Ｒ4＝フェニル］
の化合物である。]
[0109] 実施例２〜９
最初に、オートクレーブに入れたケトンに、（Ｒ）−（１−フェニルエチル）アミン（第２表）または（Ｓ）−（１−フェニルエチル）アミン（第３表）および２種の触媒（イミノ化用モンモリロナイトＫ１０および水素化用貴金属触媒「Ｃａｔ」）を投入する。オートクレーブを窒素で不活性化し、混合物を所定の温度で１時間撹拌する。オートクレーブに水素を所望の圧力まで注入し、水素化を数時間（実行時間）行う。最後に、オートクレーブを減圧する。]
[0110] 反応生成物は、式Ｉ
［式中、Ｒ1＝メチル、Ｒ2＝エチル、Ｒ3＝メチル、Ｒ4＝フェニル］
の化合物である。]
[0111] ]
[0112] ]
[0113] ２． ３−メチル−２−ブタノンと（Ｒ）−（１−フェニルエチル）アミンまたは（Ｓ）−（１−フェニルエチル）アミンとの反応
実施例１０〜１１
最初に、丸底フラスコに入れたケトンに、（Ｒ）−（１−フェニルエチル）アミン（第４表）または（Ｓ）−（１−フェニルエチル）アミン（第５表）、モンモリロナイトおよびＰｔ／Ｃを投入し、６０℃で１時間撹拌する。その後、転化が完了するまで水素を導入する。]
[0114] 反応生成物は、式Ｉ
［式中、Ｒ1＝メチル、Ｒ2＝イソプロピル、Ｒ3＝メチル、Ｒ4＝フェニル］
の化合物である。]
[0115] ]
[0116] ]
[0117] 実施例１２〜１８
最初に、オートクレーブに入れたケトンに、（Ｒ）−（１−フェニルエチル）アミン（第６表）または（Ｓ）−（１−フェニルエチル）アミン（第７表）および２種の触媒（イミノ化用モンモリロナイトＫ１０および水素化用貴金属触媒「Ｃａｔ」）を投入する。オートクレーブを窒素で不活性化し、混合物を所定の温度で１時間撹拌する。オートクレーブに水素を所望の圧力まで注入し、水素化を数時間（実行時間）行う。最後に、オートクレーブを減圧する。]
[0118] 反応生成物は、式Ｉ
［式中、Ｒ1＝メチル、Ｒ2＝イソプロピル、Ｒ3＝メチル、Ｒ4＝フェニル］
の化合物である。]
[0119] ]
[0120] ]

权利要求:

請求項1
式Ｉのアミンを、式ＩＩのカルボニル化合物を式ＩＩＩのアミンと反応させることにより［式中、Ｒ1およびＲ2は異なり、それぞれが１〜２０個の炭素原子を有しかつ場合によりヘテロ原子を含むこともできる有機基であり、Ｒ3は、Ｃ1−Ｃ6−アルキル基であり、ならびにＲ4は、部分的または完全にハロゲン化されてもよければ、かつ／またはシアノ、ニトロ、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルキル、ヒドロキシル、Ｃ1−Ｃ6−ヒドロキシアルキル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシ、Ｃ1−Ｃ6−ハロアルコキシ、ヒドロキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルコキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ6−アルキルアミノ、ジ（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）アミノ、アリールおよびアリール（Ｃ1−Ｃ6−アルキル）の群の内の１〜３個の基を有してもよいアリール基であり；ならびに＊はＳまたはＲ立体配置を表し、および＊＊はＳおよび／またはＲ立体配置を表す］、製造する方法であって、不均一イミノ化触媒、水素化触媒および水素の存在下で前記反応を行うことを特徴とする方法。
請求項2
Ｒ１およびＲ２が異なり、それぞれが１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基である、請求項１に記載の方法。
請求項3
Ｒ３がメチル基である、請求項１または２に記載の方法。
請求項4
Ｒ４がフェニル基または１−ナフチル基である、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
請求項5
不均一イミノ化触媒が無機酸化物または混合酸化物である、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
請求項6
不均一イミノ化触媒が珪酸塩、またはケイ素を含む混合酸化物である、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
請求項7
水素化触媒が不均一銅触媒である、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
請求項8
水素化触媒が、前記触媒の全質量に対して、銅を１〜９５質量％含む、請求項１から７までのいずれか１項に記載の方法。
請求項9
銅水素化触媒が担持触媒である、請求項１から８までのいずれか１項に記載の方法。
請求項10
反応が溶媒の存在下で、またはバルク反応において行われる、請求項１から９までのいずれか１項に記載の方法。
請求項11
反応が標準圧力から２００バールまでで行われる、請求項１から１０までのいずれか１項に記載の方法。
請求項12
反応が室温から反応混合物の還流温度までで行われる、請求項１から１１までのいずれか１項に記載の方法。
請求項13
反応が一段階で行われ、場合により形成される中間物が分離されない、請求項１から１２までのいずれか１項に記載の方法。
請求項14
式ＩＶ［式中、Ｒ1基およびＲ2基ならびに＊＊は、それぞれ請求項１に定義する通りである］のキラルアミンを製造する方法であって、請求項１から１３までに記載の方法により得られる式ＩＩＩのアミンを水素化分解により開裂することを含む、方法。